●產(chǎn)品概述：
目前半導(dǎo)體刻蝕用的比較多的是等離子干法刻蝕技術(shù)，它是利用等離子體進(jìn)行薄膜微細(xì)加工的技術(shù)。干法刻蝕工藝過程是化學(xué)反應(yīng)作用和物理轟擊作用的結(jié)合。相比于傳統(tǒng)的濕法刻蝕技術(shù)，干法刻蝕技術(shù)由于具有良好的各向異性和工藝可控性已被廣泛應(yīng)用于微電子產(chǎn)品制造領(lǐng)域，如今更是逐漸擴(kuò)展到LED等領(lǐng)域。固體碳化硅主要應(yīng)用在刻蝕機(jī)的聚焦環(huán)、邊界環(huán)、蓮蓬頭。
●主要特點(diǎn)：
1.強(qiáng)度高（莫氏硬度9.5，僅次于金剛石）；
2.耐酸堿鹽及有機(jī)溶劑的腐蝕；
3.半導(dǎo)體。
●主要參數(shù)：
石英、硅、RB碳化硅、CVD碳化硅四種物質(zhì)的性質(zhì)比較：
·
相關(guān)指標(biāo) | 石英 | 硅 | RB碳化硅 | CVD碳化硅 |
密度 | 2.2 | 2.33 | 3.1 | 3.21 |
抗彎強(qiáng)度（MPa） | 49 | ~300 | 350 | 590 |
彈性模量（MPa*104） | 7.8 | - | 41 | 45 |
韌性（MN/m3/2） | - | - | 3.5 | - |
C.T.E(*10-6/K) | 0.5 | 2.3 | 4.3 | 4 |
導(dǎo)熱系數(shù)（W/m.K） | 1.3 | 150 | 67 | 250 |
電阻系數(shù)（Ωcm） | 1013 | 0.02,1~5 外 | 0.1 | 0.01~20000 |
晶體結(jié)構(gòu) | 不規(guī)則 | 立方型 | 六方型 | 立方（β –型） |
晶格常數(shù)(?) | - | a = 5.4307 | a = 3.0, c= 10 ~37 | a = 4.3596 |
能隙(eV) | - | 1.11 | 2.86 | 2.20 |
介電常數(shù) | - | 11.7 | 6.52 | 6.52 |
分解溫度(℃) | - | - | 1,500℃ | 2,000℃↑ |
共融溫度(℃) | 1,700℃ | 1,427℃ | - | - |
